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3月15日，由中國電工技術(shù)學(xué)會(huì)主持、寧夏超導(dǎo)泛科技有限責(zé)任公司（寧夏盈谷實(shí)業(yè)股份有限公司、江西聯(lián)創(chuàng)超導(dǎo)技術(shù)有限公司等多家企業(yè)和自然人聯(lián)合投資設(shè)立）牽頭組織的“高溫超導(dǎo)磁控硅單晶生長裝備、技術(shù)及應(yīng)用科技成果鑒定會(huì)”在寧夏銀川市舉辦。

鑒定會(huì)現(xiàn)場，由中國科學(xué)院院士甘子釗領(lǐng)銜的專家委員會(huì)對(duì)項(xiàng)目進(jìn)行了全面評(píng)估，一致認(rèn)為該技術(shù)填補(bǔ)了我國在高端硅晶體制造領(lǐng)域的多項(xiàng)空白，綜合性能達(dá)到國際領(lǐng)先水平。

據(jù)悉，高溫超導(dǎo)磁控硅單晶生長裝備、技術(shù)及應(yīng)用的關(guān)鍵在于引入高溫超導(dǎo)磁體技術(shù)，針對(duì)高品質(zhì)大尺寸硅單晶生長技術(shù)瓶頸，研制出高溫超導(dǎo)磁控硅單晶生長裝備，形成了大尺寸硅單晶長棒快速、高穩(wěn)定性、低含氧量的生長工藝，實(shí)現(xiàn)了大尺寸（12吋以上）高品質(zhì)硅單晶的生產(chǎn)，經(jīng)濟(jì)和社會(huì)效益十分顯著。

根據(jù)項(xiàng)目報(bào)告顯示，該公司自主研發(fā)的高溫超導(dǎo)磁控硅單晶生長設(shè)備及技術(shù)可將硅片含氧量穩(wěn)定控制在5ppma以下，硅棒頭尾利用率提升4%以上，生產(chǎn)效率提升12%，目前已拉出直徑達(dá)340mm的高品質(zhì)硅棒。

甘子釗院士在評(píng)審中說：“這是國際上首次將高溫超導(dǎo)技術(shù)應(yīng)用于磁控直拉單晶生長，為高溫超導(dǎo)技術(shù)產(chǎn)業(yè)化做了很多開創(chuàng)性的工作，開辟了超導(dǎo)技術(shù)產(chǎn)業(yè)化新賽道。”他特別提到，該技術(shù)對(duì)實(shí)現(xiàn)“雙碳”目標(biāo)具有戰(zhàn)略意義。

專家委員會(huì)認(rèn)為該項(xiàng)目解決了磁控條件下大尺寸硅單晶生長爐高溫度均勻性節(jié)能型熱場設(shè)計(jì)、模塊化大尺寸傳導(dǎo)冷卻高溫超導(dǎo)磁體設(shè)計(jì)、電﹣磁﹣熱﹣流體多場耦合下硅單晶生長分析與控制等關(guān)鍵技術(shù)難題，取得了多項(xiàng)創(chuàng)新性技術(shù)成果，研制出高溫超導(dǎo)磁控硅單晶生長裝備，在生產(chǎn)實(shí)踐中得到了應(yīng)用，表明該項(xiàng)目總體技術(shù)水平已達(dá)國際領(lǐng)先。

此次鑒定會(huì)的成功，標(biāo)志著我國在超導(dǎo)技術(shù)產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用領(lǐng)域邁出里程碑式一步。在“雙碳”目標(biāo)與半導(dǎo)體自主可控的雙重驅(qū)動(dòng)下，高溫超導(dǎo)磁控技術(shù)的突破，正為萬億級(jí)新能源與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)注入全新動(dòng)能。

（科技日?qǐng)?bào)記者 魏依晨 攝）