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近日，山西轉(zhuǎn)型綜改示范區(qū)入?yún)^(qū)企業(yè)山西爍科晶體有限公司成功研制出12英寸（300毫米）高純半絕緣碳化硅單晶襯底，屬全球首發(fā)。同期，還研制成功12英寸（300毫米）N型碳化硅單晶襯底。

山西爍科晶體有限公司位于山西轉(zhuǎn)型綜改示范區(qū)瀟河新興產(chǎn)業(yè)園區(qū)，是國內(nèi)從事第三代半導(dǎo)體材料碳化硅生產(chǎn)和研發(fā)的領(lǐng)軍企業(yè)。該企業(yè)始終聚焦國家重大戰(zhàn)略科技需求，基于市場導(dǎo)向開展前瞻性基礎(chǔ)技術(shù)研究，在技術(shù)創(chuàng)新、產(chǎn)業(yè)規(guī)模、產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同等方面均實現(xiàn)重要突破。

近年來，爍科晶體通過自主創(chuàng)新和自主研發(fā)，全面掌握了碳化硅生長裝備制造、高純碳化硅粉料制備工藝，在國內(nèi)率先完成高純半絕緣碳化硅單晶襯底關(guān)鍵工藝技術(shù)攻關(guān)，先后攻克了大尺寸擴徑工藝和低缺陷N型襯底的生長工藝，擁有碳化硅粉料制備、單晶生長、晶片加工等整套生產(chǎn)線。此次12英寸碳化硅襯底的成功研制，能夠進一步擴大單片晶圓上可用于芯片制造的面積，大幅提升合格芯片產(chǎn)量。在同等生產(chǎn)條件下，顯著提升產(chǎn)量，降低單位成本，進一步提升經(jīng)濟效益，為碳化硅材料的更大規(guī)模應(yīng)用提供可能。

未來，爍科晶體將繼續(xù)聚焦大尺寸碳化硅單晶襯底的產(chǎn)業(yè)化技術(shù)，持續(xù)加大研發(fā)投入，充分發(fā)揮技術(shù)創(chuàng)新引領(lǐng)作用，打造核心競爭優(yōu)勢，從而帶動創(chuàng)新鏈、產(chǎn)業(yè)鏈、生態(tài)鏈的創(chuàng)新與重構(gòu)，引領(lǐng)行業(yè)向更高端化方向發(fā)展。

（圖片來源：山西轉(zhuǎn)型綜改示范區(qū)）